追赶台积电 三星计划2025年量产基于GAA的2纳米芯片

基于 3 纳米的全缠绕栅极(Gate-All-AroundT，简称 GAA)工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子方案在将来三年内经过创建 3 纳米 GAA 工艺，遇上全世界第一大代工公司台积电。

GAA 是一种下一代工艺技艺，它创新了半导体晶体管的构造，使栅极能够打仗晶体管的一切四个一边，而不是当前 FinFET 工艺中的三个一边。 GAA 构造能够比 FinFET 工艺更切确地操纵电流。依据集邦询问的资料，2021 年第 4 季度，台积电占环球代工市场的 52.1%，远超三星电子的 18.3%。

三星电子押注将 GAA 技艺应用到 3 纳米制程以赶上台积电。据报道，这家韩国半导体巨擘在 6 月初将晶圆置于 3 纳米 GAA 工艺中进行试量产，成为世界上第一家运用 GAA 技艺的公司。它正在追求经过技艺奔腾当即缩小与台积电的差异。与 5 纳米工艺比拟，3 纳米工艺将半导体功能和电池效力别离提升了 15% 和 30%，同时芯片面积减少了 35%。

继本年上半年将 GAA 技艺应用于其 3 纳米工艺后，三星方案在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片，并在 2025 年量产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的策略是本年下半年进入3nm半导体市场，接纳稳定的FinFET工艺，而三星电子则押注 GAA 技艺。

专家暗示，若是三星在基于 GAA 的 3 纳米工艺中确保稳定的良率，它能够成为代工市场的游戏规则改变者。台积电估计将从 2nm 芯片入手下手引入 GAA 工艺，并在 2026 年阁下宣布第一款产品。对于三星电子来讲，将来三年将是关键时代。

近日，三星颁布发表将在将来五年内向半导体等关键行业投资共计 450 万亿韩元。但是，在推动 3 纳米过程中存在诸多阻碍。与三星一样，台积电在提升 3nm 工艺良率方面也存在坚苦。

三星电子也面对着相似的状况。晶圆已经投入 3 纳米工艺中试量产，但因为良率低的问题，该公司始终推延正式量产通告。当代汽车证券钻研主管 Roh Keun-chang 透露表现：“除非三星电子为其 7 纳米或更优秀的工艺获取充足的客户，不然可能会加重投资者对三星电子将来功绩的发急”。